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晶体管类型:PNP集射极击穿电Ψ 压(Vceo):25V集电极电△流(Ic):500mA功率(Pd):300mW集电极-发射极〓饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA直流【电流增益(hFE@Ic,Vce):120@50mA,1V特征频率(fT):150MHz工作温度:+150℃@(Tj)
晶体管类型:PNP
集射极击穿电Ψ 压(Vceo):25V
集电极电△流(Ic):500mA
功率(Pd):300mW
集电极-发射极〓饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA
直流【电流增益(hFE@Ic,Vce):120@50mA,1V
特征频率(fT):150MHz
工作温度:+150℃@(Tj)