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晶体管◥类型：PNP集射↑极击穿电压(Vceo)：30V集电极电流(Ic)：1.5A功率(Pd)：500mW集电极-发射极饱和电◥压(VCE(sat)@Ic,Ib)：2V@1.5A,30mA直流电流增◆益(hFE@Ic,Vce)：160@500mA,2V特征频率(fT)：120MHz工作温度：+150℃@(Tj)
晶体管◥类型：PNP
集射↑极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：1.5A
功率(Pd)：500mW
集电极-发射极饱和电◥压(VCE(sat)@Ic,Ib)：2V@1.5A,30mA
直流电流增◆益(hFE@Ic,Vce)：160@500mA,2V
特征频率(fT)：120MHz
工作温度：+150℃@(Tj)
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