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主营品牌

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STB24N60DM2

主要参数

制造厂商：ST（意法半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：D2PAK
技术参数：MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK

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产品描述

制造商产品型号：STB24N60DM2
制造商：ST（意法半导体，STMicroelectronics）
描述：MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：FDmesh? II Plus
零件状态：有源
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：600V
25°C时电流-连续漏极(Id)：18A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：200 毫欧 @ 9A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
不同Vgs时栅极电『荷?(Qg)（最大值）：29nC @ 10V
Vgs（最大值）：±25V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1055pF @ 100V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：150W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：D2PAK
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