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LM5112SD/NOPB

主要参数

电子器件型号：LM5112SD/NOPB
原始制造厂商：TI，德州仪器（Texas Instruments）
技术标准参数：IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON
产品应用分类：电源管理IC - 栅极驱动器

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产品描述

制造商产品型号：LM5112SD/NOPB
制造商：Texas Instruments
描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON
产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器
包装：卷带（TR）,剪切带（CT）
系列：-
零件状态：有源
驱动配置：低端
通道类型：单路
驱动器数：1
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压-供电：3.5V ~ 14V
逻辑电压?-VIL，VIH：0.8V，2.3V
电流-峰值输出（灌入，拉出）：3A，7A
输入类型：反相，非反相
高压侧▂电压-最大值（自举）：-
上升/下降时间（典型值）：14ns，12ns
工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：表面贴∩装型
产品封装：6-WDFN